光デバイスメーカーが、データスイッチング用コ・パッケージ光学部品の光伝送を可能にする新しいIC（ドライバー/TIA）とインターポーザーを求めている。
背景
現在の光トランシーバーは、フロントパネルにプラグイン可能なモジュールである。データの高速化に伴い、光トランシーバーをスイッチASICの近くに配置し、電気伝送路の長さを短くすることがますます重要になっている。
Co-Packaged Optics (CPO)コラボレーションは、コ・パッケージ構造の標準化に取り組んでおり、コ・パッケージ用にトランシーバーを小型化し統合するための多くの方法が議論されている。
CPOの実現には多くの技術的課題がある。主な課題は、CPOの構成要素であるDriver/TIAなどのICチップの消費電力を低減することです。さらに、ICチップの実装方法には2.5次元実装が必要であり、Siフォトニクスフォトニック集積回路（SiPh PIC）のTSV作製やインターポーザ技術が必要となる。
制約条件
求めるICは以下のような特徴を持つ：
- 低消費電力ドライバ/TIA IC
- 0W/λ(4ch)＠96GBaud、4.0W/λ(4ch)＠128Gbaud（コヒーレント用
- 150mW/ch＠56GBaud NRZ、300mW/ch＠56GBaud PAM4 for VCSEL
- 0.1～0.15mmまたは4mm厚のシリコン・オン・絶縁基板上の0.1mm以下の狭ピッチTSV
- Siフォトニクス集積回路向け貫通電極（TSV）プロセスデザインキット（PDK）の販売開始について
- Si/ガラス・インターポーザ上の光ファイバ・エッジ・カップリングによるSiフォトニクス・フォトニック集積回路の4mm深さ空洞加工
- TSV-SiPhチップを用いた5Dチップ実装技術
可能な解決策
- 市販のIC
- ICのカスタム設計
- 2.5Dチップ実装技術でCPOを製造できるEMS企業
ソリューションの望ましい結果
上記仕様を満たす光トランシーバー用IC
