ある光学機器メーカーは、フリップチップはんだ付け部品の精度と信頼性の向上を目指している。
背景
世界的な大容量データ伝送需要の増大に対応するためには、大容量かつ高速な光信号を処理する光機能デバイスの高密度集積化が不可欠である。
シリコンフォトニクスは、シリコン上に微細な光導波路構造を形成し、様々な機能を持つデバイスを1つの小さなチップに集積するキーテクノロジーである。これにより、高速光デバイスの超小型化・低消費電力化が実現できる。
シリコンフォトニクスでは、光増幅とレーザーダイオードが重要な技術能力であるが、これはシリコンベースの材料では実現できないからである。したがって、III-V族化合物半導体をフリップチップ接合した新しい集積シリコンフォトニックチップは、技術的なブレークスルーとなることが期待される。
制約条件
パートナーは以下の経験を有する：
- 光増幅器、レーザービーム発生器などのIII-V族化合物半導体（半導体光増幅器、レーザーダイオード、フォトダイオードなど）
- シリコン実装基板（またはキャリア）上にAuSnバンプを形成したダイボンディング
- レーザーや半導体光増幅器などのIII-V族化合物半導体のバンプ接合の故障解析と条件改善。
ソリューションには以下の能力がある：
- 量産に適したバンプ構造と接合条件の最適化
- シリコンチップ上にフリップチップ接合されたバンプ接合やIII-V族化合物半導体の長期信頼性を確保するための十分な信頼性試験
可能な解決策
- 半導体レーザーなどの光デバイス製品に特化したEMS企業
- 高精度フリップチップボンダーの装置メーカー
- MEMSファウンドリー
ソリューションの望ましい結果
そのような技術を持ち、開発・量産を専門とする組織・企業との提携・協力の機会。
関連技術ニーズ