ある光デバイスメーカーは、レーザーダイオードや半導体光増幅器などの部品について、バーンインによる初期不良（幼児死亡率不良）を選別しようとしている。
背景
世界的な大容量データ伝送需要の増大に対応するためには、大容量かつ高速な光信号を処理する光機能デバイスの高密度集積化が不可欠である。
シリコンフォトニクスは、シリコン上に微細な光導波路構造を形成し、様々な機能を持つデバイスを1つの小さなチップに集積するキーテクノロジーである。これにより、高速光デバイスの超小型化・低消費電力化が実現できる。
シリコンフォトニクスでは、光増幅とレーザーダイオードが重要な技術能力であるが、これはシリコンベースの材料では実現できないからである。したがって、III-V族化合物半導体をフリップチップ接合した新しい集積シリコンフォトニックチップは、技術的なブレークスルーとなることが期待される。
制約条件
このソリューションは、どのIII-V族化合物半導体チップが故障する可能性が高いかを早い段階で特定しようとするものである。大量生産に適していなければならない。
- ベアIII-V族化合物半導体チップ（チップオンキャリア型ではない）に電気的および熱的ストレスを加える。
- シリコンフォトニックチップ上に接合されたIII-V族化合物半導体チップに電気的・熱的ストレスを加える
可能な解決策
- 半導体レーザーなどの光デバイス製品に特化したEMS企業
- 高精度フリップチップボンダーの装置メーカー
- MEMSファウンドリー
ソリューションの望ましい結果
光学部品の初期不良を特定する技術を持ち、開発・量産に特化した組織・企業との提携・協力の機会。
これまでの解決策
現在市販されている光サブアセンブリに使われているIII-V半導体のバーンインは、チップオンキャリア（CoC）という形で行われ、他の光素子と組み合わされる。その量産技術は確立されている。